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      LG-GDS01Ⅱ型光電技術(shù)綜合實訓平臺(含內(nèi)置示波器)

      品牌:理工偉業(yè) 咨詢電話:010-82827827 82827835

      一、產(chǎn)品概述
          LG-GDS01Ⅱ型 光電技術(shù)綜合實訓平臺是由光學導軌、數(shù)字儀表及電子元器件平臺、52單片機設計組件及CCD設計組件等部分構(gòu)成,儀器配備各種電源接口及0-200V 高壓可調(diào)電源和0-12V低壓可調(diào)電源,可為學生搭建各種實驗電路提供電源。學生能夠利用平臺自行搭建各種光學系統(tǒng)、光電傳感器的變換及處理電路,完成各種關于光電技術(shù)方面的應用開發(fā)設計,從各方面提高學生的動腦動手能力及創(chuàng)新意識,幫助高校培養(yǎng)光電技術(shù)人才。
       1. 光學導軌:可利用導軌滑塊自行調(diào)節(jié)光學配件的距離,配合電子元器件搭建出幾何光學、物理光學、光電檢測與光電控制等系統(tǒng),并與儀器內(nèi)部的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)相結(jié)合完成各種實驗系統(tǒng)。
       2. 數(shù)字儀表平臺:平臺提供2塊數(shù)字電壓表(四位半),2塊數(shù)字電流表(四位半)和1塊自動更換量程的數(shù)字照度計,這些數(shù)字儀表可以應用在電路中進行各種電路參數(shù)的測量。
       3. 電阻、電容及器件平臺:此平臺配備各種電阻、電容、二極管、三極管、集成運算放大器、光電耦合器件,學生在此平臺靈活搭建電路來完成實驗。
       4. 52單片機程序下載平臺:學生在此平臺來完成有關單片機方面的設計實驗也可做畢業(yè)設計、創(chuàng)新設計。
       5. 線陣CCD驅(qū)動電路平臺:學生在此平臺自行設計線陣CCD驅(qū)動電路。
       6. 現(xiàn)場可編程邏輯器件(CPLD)設計平臺:通過CPLD進行開發(fā)設計,提高學生動腦能力。
       7. 計算機功能軟件:平臺配備有各種功能軟件,包括線陣CCD尺寸測量、角度測量、位移測量、條碼識別、圖像掃描軟件,面陣CCD邊緣與輪廓檢測、物體的尺寸測量、圖像的點運算、圖像的幾何變換、圖像采集與參數(shù)設置、投影與差影圖像分析、圖像的濾波與增強、形態(tài)學處理、旋轉(zhuǎn)與縮放、顏色識別與變換等圖像處理軟件。不但提供DEMO演示軟件還提供SDK軟件開發(fā)包,供學生進行二次開發(fā)。


      二、教學目的
       1. 了解并掌握各種光學配件及其實驗的原理和應用;
       2. 了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路;
       3. 了解并掌握52單片機程序編寫;
       4. 了解并掌握52單片機外圍電路設計;
       5. 了解CPLD的應用開發(fā)技術(shù);
      三、配置內(nèi)容 
          光電二極管2只;光電三極管2只;光敏電阻2只;硅光電池1只;發(fā)光二極管R、G、B、W四色各1只;PIN光電二極管1只;雪崩光電二極管(APD)1只;UVM-30A紫外線探測傳感器1只;LED點光源裝置1支;光電器件安裝裝置2件;熱釋電實驗裝置1件;PSD實驗裝置1件;光柵莫爾條紋實驗裝置1件;四象限光電傳感器及實驗裝置1套;線陣CCD相機及夾持器1套;彩色面陣CCD相機與相機夾持器1套;USB2.0接口8位A/D線陣CCD數(shù)據(jù)采集卡1塊;50mm相機鏡頭1個;彩色面陣CCD圖像采集卡1塊;面陣CCD圖像采集標準圖片及夾持裝置1套;尺寸測量實驗裝置1件;傾角測量實驗裝置1件;條形碼識別實驗裝置1件;振動實驗裝置1件;52單片機開發(fā)系統(tǒng)裝置1套;白色遠心照明光源1只;650nm點型3mw半導體激光器1只;圖像掃描實驗裝置1件;導軌固定底座4個;導軌底座支撐桿4個;一維調(diào)整架2個;一維底座2個;300mm連接線40顆;500mm連接線10顆;
      四、技術(shù)參數(shù)
       1. 數(shù)字電壓表:精度四位半;量程20V,200V;
       2. 數(shù)字電流表:精度四位半;量程20mA,200mA;
       3. 數(shù)字照度計:自動更換量程;測量范圍0.1~1.999×103x;
       4. 光電二極管:暗電流 ID=±0.1uA;光電流IL=±80uA;峰值響應880nm;最高工作電壓30V;開關時間50/50ns;光譜范圍400~1100nm; 
       5. 光電三極管:集電極-發(fā)射極電壓30V;發(fā)射極-集電極電壓5V;集電極電流20mA;
       6. 光敏電阻:暗電阻1.0MΩ;亮電阻8~20KΩ(10Lx);
       7. 硅光電池:開路電壓小于500mV;短路電流小于18mA;輸出電流小于16.5mA;感光面積10X10mm;
       8. PIN光電二極管:反向電壓40V;峰值波長920nm;開路電壓0.4V;短路電流85uA;
       9. 雪崩光電二極管(APD):工作電壓100V~150V;峰值波長(λp)660nm;
       10. 四象限光電傳感器:光敏直徑13mm;光譜響應范圍380~1100nm;
       11. 一維PSD:光敏區(qū)1mm*8mm;光譜響應范圍300-1100nm;Ev=1000LX 2856K時,開路電壓為0.3V,短路電流為55µA;PSD調(diào)整架:位移范圍13mm;位移精度0.01mm;
       12. 熱釋電器件:型號:RE200B;靈敏元面積:2.0×1.0mm2;基片材料:硅;基片厚度:0.5mm;工作波長:5-14µm;平均透過率>75%;
       13. 光電耦合器:型號:4N35;隔離電壓:5300V;輸入電流:10mA;輸出電壓:30V;工作溫度范圍:-55°Cto+100°C;最大正向電流, If:60mA;正向電壓Vf最大:1.5V;電壓,Vceo:30V;電壓,Vf典型值:1.3V;輸出電壓最大:30V;擊穿電壓最小:30V;電流傳遞率(CTR) 最小值:100%;
       14. CPLD:最大延遲時間tpd(1)10.0ns;電壓電源內(nèi)部3V~3.6V邏輯元件/邏輯塊數(shù)目4;宏單元數(shù)64;門數(shù)1250;輸入/輸出數(shù)34;工作溫度0°C~85°C;
       15. 內(nèi)置示波器參數(shù):
       1)直流增益精確度:±3%; 
       2)觸發(fā)類型:邊沿觸發(fā),脈寬觸發(fā),視頻觸發(fā),斜率觸發(fā),交替觸發(fā);
       3)觸發(fā)電平范圍:(內(nèi)部)距屏幕中心±5格;
       4)觸發(fā)電平精確度(典型的)適用于上升和下降時間≥20ns的信號:±0.3格;
       5)釋抑范圍:100ns~10s;
       6)信號制式和行/場頻率:(視頻觸發(fā)類型)支持標準的NTSC、PAL和SECAM廣播制式;
       7)觸發(fā)方式:自動、正常、單次;
       8)光標測量:光標間電壓差(△V)、光標間時間差(△T);
       9)自動測量:峰-峰值、平均值、均方根值、頻率、周期、最大值、最小值、頂端值、底端值、幅度、過沖、預沖、上升時間、下降時間、正脈沖、負10)脈寬、正占空比、負占空比、延遲A→B、延遲A→B;
      11)數(shù)學操作:加、減、乘、除、FFT;
      12)李沙育圖形:①帶寬:滿帶寬;②相位差:±3degrees;
      13)標準接口:USB2.0;LAN接口(可選);
      14)多功能接口:①信號類型:同步輸入、同步輸出、通過/失敗輸出、外部觸發(fā)輸入;②電平標準:TTL;
      15)電源:≤5W;
       16. 線陣CCD相機:有效像元數(shù)2160像元;像元尺寸(μm)14×14×14;靈敏度(V/lx.s)45;動態(tài)范圍1700;
       17. 彩色面陣CCD相機:有效像元數(shù)768(水平)×576(垂直);
       18. 線陣CCD數(shù)據(jù)采集卡:USB2.0接口、8位A/D數(shù)據(jù)采集系統(tǒng);
       19. 彩色面陣CCD圖像采集卡:分辨率8bit×3采集;USB2.0接口;
       20. 鏡頭:焦距50mm;
       21. 電器參數(shù):輸入電壓AC220V,50Hz;功耗200W;
       22. 接口方式:與計算機連接接口為USB2.0總線接口方式;
       23. 計算機系統(tǒng)配置:19英寸液晶顯示器;內(nèi)存2.0GB;CPU速度高于2.4GHz;硬盤高于250G;USB2.0接口;防水耐用鍵盤及光電鼠標;
       24. 操作軟件:操作系統(tǒng)與Windows2000、WindowsXP、Windows7兼容;
       25. 主機尺寸:700mm×550mm×280mm,重量:24 kg,導軌長度:700mm;
      五、能夠完成的實驗內(nèi)容
      (1)光電技術(shù)方面實驗
       1. 光敏電阻特性參數(shù)及其測量;
       2. 光敏電阻伏安特性實驗;
       3. 光敏電阻的變換電路;
       4. 光敏電阻時間響應特性;
       5. 光電二極管光照靈敏度的測量;
       6. 光電二極管伏安特性的測量;
       7. 光電二極管時間響應特性的測量;
       8. 硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的特性參數(shù)及其測量;
       9. 測量硅光電池在反向偏置下的時間響應;
       10. 光電三極管光照靈敏度的測量;
       11. 光電三極管伏安特性的測量;
       12. 光電三極管時間響應的測量;
       13. 光電三極管光譜特性的測量;
       14. 光電耦合器電流傳輸比的測量;
       15. 光電耦合器件伏安特性的測量;
       16. 光電耦合器件時間相應的測量;
       17. 熱釋電器件基本原理實驗;
       18. 熱釋電器件光譜響應的測試實驗;
       19. PSD位移傳感器特性參數(shù)的測量;
       20. 四象限光電傳感特性實驗;
       21. 雪崩光電二極管(APD)特性實驗;
       22. PIN光電二極管特性實驗;
       23. 線陣CCD驅(qū)動系統(tǒng)設計實驗;
       24. 太陽能電池實驗;
       25. 光電測距實驗;
       26. 光調(diào)制解調(diào)實驗;
      (2)光電檢測技術(shù)實驗
       1. 線陣CCD 原理與驅(qū)動特性
       2. 線陣CCD 輸出特性的測量
       3. 利用線陣CCD 進行物體外形尺寸的測量
       4. 線陣CCD 的A/D 數(shù)據(jù)采集
       5. 用軟件提取邊緣信號的二值化
       6. 利用線陣CCD 測量物體的傾斜角度
       7. 條形碼的測量與識別實驗
       8. 用線陣CCD 測量物體的振動
       9. 利用線陣CCD 進行圖像掃描
       10. 光柵與莫爾條紋實驗;
       11. 面陣CCD原理與驅(qū)動實驗;
       12. 利用面陣CCD測量物體外形尺寸;
       13. 利用面陣CCD提取物體的邊緣與輪廓;
       14. 利用面陣CCD進行圖像采集與參數(shù)設置;
       15. 利用面陣CCD進行投影與差影圖像分析;
       16. 利用面陣CCD進行圖像的濾波與增強;
       17. 利用面陣CCD進行形態(tài)學處理;
       18. 利用面陣CCD進行物體的旋轉(zhuǎn)與縮放;
       19. 利用面陣CCD對顏色識別;
       20. 利用面陣CCD進行圖像信息的點運算;
       21. 利用面陣CCD進行圖像的幾何變換;
       22. 利用面陣CCD進行數(shù)據(jù)采集實驗;
      (3)二次開發(fā)實驗(52單片機開發(fā)實驗)
       1. 52單片機程序編寫實驗;
       2. 52單片機外圍電路設計實驗;
       3. 基于52單片機的數(shù)字時鐘設計實驗;
      (4)CPLD應用技術(shù)方面的實驗
       1. 編寫與設計時鐘邏輯電路實驗;
       2. 編寫與設計2160像元的線陣CCD驅(qū)動電路實驗;
       3. 編寫與設計線陣CCD二值化數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)邏輯電路;
      六、平臺配套文件資料
       1. 實驗指導書1本;
       2. 軟件:平臺軟、硬件使用手冊等內(nèi)容;
       3. 實驗錄像光盤1套 ;
      備注:客戶自行配置示波器。

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